所有氣體質(zhì)量流量傳感器均通過(guò)熱交換運(yùn)行——流動(dòng)和壓差。硅芯片設(shè)計(jì)源自薄膜、隔熱橋結(jié)構(gòu)，包含加熱和熱敏組件。這可以對(duì)空氣或氣體流量和方向作出快速響應(yīng)，提供相應(yīng)的輸出電壓。放大型能提供更強(qiáng)的輸出信號(hào)和更少的外部電路，而未放大型可選擇更多的外部電路。

霍尼韋爾提供：

• *的芯片設(shè)計(jì)、制造工藝和微結(jié)構(gòu)技術(shù)

• 加快響應(yīng)時(shí)間并實(shí)現(xiàn)更低的功耗

• 多種端口類(lèi)型，提供更高的應(yīng)用靈活性

同 AWM2000 系列一樣，惠斯頓雙電橋控制氣體流量測(cè)量。AWM3000 系列具有放大功能，因此能用于提升增益和將電壓偏移引入傳感器輸出。加熱器控制電路和傳感橋供電電路位于封裝電路板上。

注意：產(chǎn)品損傷

AWM 系列微橋式氣體質(zhì)量流量傳感器不適用于測(cè)量液體流量，液體流過(guò)傳感器時(shí)會(huì)損壞傳感器。

運(yùn)營(yíng)

微橋氣體質(zhì)量流量傳感器的工作原理是熱傳遞。氣體質(zhì)量流量經(jīng)引導(dǎo)流過(guò)傳感元件的表面。輸出電壓與流過(guò)封裝進(jìn)出口的空氣或其他氣體質(zhì)量成正比。特殊設(shè)計(jì)的外殼精確地引導(dǎo)和控制氣流流過(guò)微結(jié)構(gòu)傳感元件。封裝的機(jī)械設(shè)計(jì)能夠輕松將其安裝在印刷電路板上。

微橋氣體質(zhì)量流量傳感器內(nèi)含一塊*的基于*微結(jié)構(gòu)技術(shù)的硅芯片。該芯片采用薄膜和絕熱橋結(jié)構(gòu)，內(nèi)含加熱器和溫度傳感元件。橋結(jié)構(gòu)能夠快速靈敏地響應(yīng)流過(guò)芯片的空氣或其他氣體氣流。中心加熱元件兩側(cè)的雙傳感元件還能指示氣流流過(guò)的方向和速率。激光修正的厚膜和薄膜電阻保證了從每個(gè)傳感器之間始終具有一致的可互換性。

微橋氣體質(zhì)量流量傳感器利用包裹在氮化硅薄膜中的熱電阻。這些電阻呈懸浮狀態(tài)，在硅片的刻蝕腔上方形成兩座橋。芯片置于精確規(guī)格的氣流通道，提供可重復(fù)的流量響應(yīng)。通過(guò)在流量傳感橋下刻蝕空腔，發(fā)熱器和傳感電阻能實(shí)現(xiàn)高效的熱隔離。微橋式氣體質(zhì)量流量傳感器的小尺寸和熱隔離功能實(shí)現(xiàn)對(duì)氣流的極速響應(yīng)及高靈敏度。

惠斯通雙橋控制氣流測(cè)量——一個(gè)提供閉環(huán)發(fā)熱器控制，另一個(gè)包含雙感應(yīng)元件。加熱器電路通過(guò)提供與質(zhì)量流量成正比的輸出，大程度地降低環(huán)境溫度變化導(dǎo)致的輸出變化。此電路可維持加熱器的溫度以高于環(huán)境溫度 (160 °C) 恒定溫差，而環(huán)境溫度則由芯片上的熱電阻測(cè)量得知。傳感器的輸出與電源電壓成比例，也與惠斯通電橋電路的差分電壓相對(duì)應(yīng)。

注意

大程度地降低某些應(yīng)用中可能產(chǎn)生的灰塵污染的影響。經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)，氣流中可能存在的塵粒將平行于芯片表面流過(guò)芯片。另外，微結(jié)構(gòu)芯片產(chǎn)生的熱遷移效應(yīng)能移走橋結(jié)構(gòu)上的微米級(jí)塵粒。

可使用簡(jiǎn)單的過(guò)濾網(wǎng)，防止粉塵附著在芯片邊緣和通道表面。在大多數(shù)應(yīng)用中，只要在氣流裝置的上游側(cè)串聯(lián)一只一次性的五微米過(guò)濾網(wǎng)，即可獲得充分的過(guò)濾效果。

注意：產(chǎn)品損傷

AWM 系列微橋式氣體質(zhì)量流量傳感器不適用于測(cè)量液體流量，液體流過(guò)傳感器時(shí)會(huì)損壞傳感器。

不遵守這些說(shuō)明可能會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品受損。